MOS管选用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。现在用处广泛，包含电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（一般三极管）复合在一起（IGBT,绝缘栅双极型晶体管），大范围的应用于大功率范畴。

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  1.电路规划的问题，便是让MOS管作业在线性的作业状况，而不是在开关状况。这也是导致MOS管发热的一个原因。假如N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V,才干彻底导通，P-MOS则相反。没有彻底翻开而压降过大形成功率耗费，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就从另一方面代表着发热。这是规划电路的忌讳的过错。

  2.频率太高，主要是有时过火寻求体积，导致频率进步，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。

  3.没有做好满足的散热规划，电流太高，MOS管标称的电流值，一般要杰出的散热才能够做到。所以ID小于电流，也或许发热严峻，需求满足的辅佐散热片。

  4.MOS管的选型有误，对功率判别有误，MOS管内阻没有最大极限地考虑，导致开关阻抗增大。