壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,常用MOS管型号参数选型表大全,请看下方

  最近在推MOS管的过程中，遇到一些问题，最主要的是一个品牌交换参数的对应问题，很多时分我们只关注了电流电压满足请求，性能上的比拟我们很少做比拟，供大家参考：

  一旦系统的工作条件（负载电流，开关频率，输出电压等）被肯定，功率MOSFET在参数方面的选择如下：

  1 RDSON的值。最低的导通电阻，能够减小损耗，并让系统较好的工作。但是，较低电阻的MOSFET较高电阻器件。

  2 散热。假如空间足够大，能够起到外部散热效果，就能够以较低本钱取得与较低RDSON一样的效果。也能够运用外表贴装MOSFET到达同样效果，详见下文第15行。

  3 MOSFET组合。假如板上空间允许，有时分，能够用两个较高RDSON的器件并联，以取得相同的工作温度，并且本钱较低。

  1． MOSFET在完整翻开以后（可变电阻区）的功率损耗：PON=ILoad2 × RDSON ×占空比ILoad为最大直流输出电流。

  VDS是漏源之间的最大电压，关于非同步转换器，VDS=VIN+VOUT 。关于一个同步转换器，升压MOSFET的VDS=VIN ，降压MOSFET则是VDS=VF 。其中VF是肖特基势垒的正向压降。

  我们如今能够计算MOSFET的温度。器件的结温可表示为TA+（PD × θCA）或TA+（PD × θSA）。其中，TA 为环境温度，PD是上述1、2、3项的功耗之和，θCA是由管壳到环境的导热系数，QSA则是从热沉到环境的导热系数。这些公式，都是假定从结到管壳的导热系数（~1℃/W）与其他热阻相比是负的。

  没有一个简单的办法去选择MOSFET与热沉分离，使本钱最低。由于这里有多种设计选择合适于变换器系统设计母板。但是，表2中的电子数据，为母板设计员给出了一种便当，便于剖析各种选择，包括正确选择性能和低本钱的折中。该数据表曾经被收进各种电子文本。该数据表标明了两种选择办法：

  2）飞兆FDP6030L 型MOSFET，同样合适于升压和降压应用。现将这份数据表内容依照行序列分别解释如下：

  3 FET的降落时间，来源于MOSFET数据手册。设计者应该留意到，这个数据表为产品标准书中的上升和降落时间，实践观测到的可能会大两倍，所以，开关时间的损耗可能会大大地小于计算出来的。

  7 最高管壳温度。这里是指在比拟平安的工作状态下，其温度不超越100℃；

  8 开关频率的值。虽然较高的开关频率招致较大的功耗，这个数值也被其他诸如输出电流等参数所限制。此参数的典型值的范围在200KHZ到300KHZ之间；

  11 占空比。这是一个不肯定的范围，关于降压应用的MOSFET来说，占空比可用（1VIN/VOUT）来表示。

  12 升压应用的功率MOSFET总功耗计算包括了开关霎时脉冲和导通时的两局部功率；

  14 热阻。这计算显现，关于升压MOSFET，为了满足最高壳温请求，需求如此大的热沉，各种条件列表给出；

  15 升压应用的MOSFET的热沉（散热片）引荐。这一栏给出了与热阻匹配的典型的散热片。